英伟达H200功耗表现，强大算力的能效优化

核心功耗参数与TDP

英伟达H200的TDP（热设计功耗）高达700W，与上一代旗舰H100 SXM5版本一致。

1. 峰值功耗挑战：在实际高强度计算负载下（如大型AI模型训练），瞬时功耗可能接近或短暂超过TDP值，这对供电系统冗余提出高要求。
2. 能效进步：得益于台积电4N工艺和架构优化，在相同700W TDP下，H200的FP8张量算力达1979 TFLOPS，较H100提升显著，意味着每瓦特性能更高。
3. 整卡功耗测量：实际运行功耗需计入显存（HBM3e功耗约40-50W）、PCB损耗及风扇功耗，整体系统单卡供电需求通常需预留800W以上。

显存子系统功耗贡献

配备141GB HBM3e显存的H200，其显存功耗占比尤为突出：

1. 高带宽代价：HBM3e提供4.8 TB/s带宽，其堆叠结构和高速信号导致约40-50W的典型功耗，占整卡功耗6%-7%。
2. 供电设计：显存采用独立12相供电，通过钽电容和高效DrMOS实现精确电压调节，降低能源浪费。

散热设计要点

700W TDP需要强效散热方案：

1. 液冷优势：英伟达推荐采用直接芯片冷却（D2C）液冷方案，较风冷效率提升5倍，可将核心温度降低15℃以上。
2. 热点控制：Hotspot设计耐温达105℃，但维持80℃以下能显著延长硬件寿命，需确保散热器底座热阻≤0.07°C/W。
3. 风流设计：风冷机型需≥200L/s的强制气流，散热器鳍片密度优化至23FPI（Fins Per Inch）平衡风阻与散热面积。

能效优化技术解析

英伟达通过多维度技术控制能耗：

1. DVFS动态调压：基于Tensor Core负载实时调整核心电压（0.8V-1.1V），空闲状态功耗可低至45W。
2. 结构化稀疏加速：支持2:4稀疏化模式，在AI推理中跳过零计算，能耗降低最高40%。
3. 显存压缩技术：无损数据压缩使HBM3e有效带宽提升1.3倍，间接降低单位任务能耗。

注：A100原生支持FP16，FP8算力为模拟值